네패스, FoWLP 이용한 3D IC 핵심기술 확보…고성능 AI반도체 적용한다

반도체 후공정 파운드리 업체 네패스가 FoWLP를 이용한 3D 집적회로(IC) 제조를 위한 핵심 소재 및 공정 기술 개발을 완료했다고 11일 밝혔다. FoWLP는 인쇄회로기판 없이 진행하는 패키징 기술로 더 얇고 높은 성능을 구현하는 반도체를 만들 수 있다.

D램 메모리 4층과 AI 프로세서가 일체화된 적층형 패키지. (출처=네패스)

네패스는 이번 과제 총괄을 맡아 2018년부터 약 5년간 연구를 진행해 왔다. 마이크로프랜드, 켐이, 한국전자기술연구소, 서울테크노파크, 재료연구소, 서울과학기술대학교, 덕산하이메탈 등이 이번 연구에 함께 했다.

연구팀은 고성능 반도체의 저전력 및 경량화를 위한 반도체 패키징 공정·소재 기술을 집중적으로 연구했다. 이는 AI, 로봇, IoT 등 응용 산업 전반에서 증가하고 있는 수요를 충족할 수 있을 전망이다.

이번 국책과제에서 연구진은 ▲팬아웃 기반 고밀도 이종 적층 기술 ▲대면적 전자기파 차폐(EMI Shielding, 전자기 간섭을 막는 기술) 및 방열EMC(Epoxy Molding Compound, 회로 보호재) 패키지 기술 ▲감광성 폴리이미드(PSPI) 중합 및 저온 경화형 절연막 감광재 소재 ▲협피치(Fine Pitch, 좁은 간격) 대응용 프로브카드 등의 기술을 개발했다.

김종헌 네패스 기술개발본부 부사장은 “이번 국책과제를 통해 회사와 연구팀은 첨단 반도체 분야 신시장 확대에 기여할 것을 기대한다”며 “네패스는 앞으로도 첨단 후공정 기술을 이끌며 국내 산업 생태계 기반을 견고히 다져 나가겠다”고 말했다.

글. 바이라인네트워크
<배유미 기자>youme@byline.network