삼성 8세대 V낸드 양산, 고성능 반도체 시장 공략한다

삼성전자가 200단 이상의 1Tb(테라비트) 8세대 V낸드 양산에 들어간다고 7일 밝혔다.

삼성전자에 따르면, 새로 양산을 시작하는 1Tb TLC(Triple Level Cell) 8세대 V낸드는 업계 최고 수준의 비트 밀도(Bit Density) 고용량 제품으로, 웨이퍼당 비트 집적도가 전 세대 대비 큰 폭으로 향상했다. 여기서 비트 밀도는 단위 면적단 저장되는 비트의 수로, 수치가 높을수록 더 많은 데이터를 저장할 수 있음을 의미한다.

삼성전자 8세대 V낸드 (출처: 삼성전자)

삼성전자가 8세대 V낸드 개발에 박차를 가하겠다고 밝힌 시점은 2021년 6월이다. 뒤이어 8월에는 8세대 V낸드 개발을 어느 정도 마쳤다고 밝히기도 했다.

일각에서는 삼성전자가 200단 이상의 8세대 V낸드 공급 시점이 경쟁사 대비 늦어진 것 아니냐고 지적했다. 미국 메모리 업체 마이크론은 올해 7월 232단 낸드를 양산한다고 발표한 데 이어 SK하이닉스, 중국 양쯔강메모리테크놀로지(YMTC) 등 후발 기업도 200단 이상 8세대 V낸드 양산에 나선다고 밝혔기 때문이다.

하지만 삼성전자는 “시장 상황과 고객의 요구에 맞춰 적절한 시기에 제품을 선보일 수 있도록 준비하겠다”는 입장을 고수했다.

그 가운데 삼성전자는 1Tb 8세대 V낸드를 양산하면서 본격 대응에 나서기 시작했다. 8세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스 ‘토글(Toggle) DDR5’가 적용돼 최대 2.4Gbps의 데이터 입출력 속도를 지원한다. 전작 대비 1.2배 향상된 것이다. 더불어 해당 낸드는 차세대 입출력 구조 PCIe 4,0 인터페이스를 지원하는데, 향후 PCIe 5.0까지 지원을 확대할 계획이다.

삼성전자는 2022년 3분기 실적발표 당시 “시장 내 성장 모멘텀을 확보하기 위해 고성능⋅고용량 제품 수요에 대응하는 한편, 가격 탄력성이 높은 낸드플래시 특성을 바탕으로 신규 수요를 창출하겠다”고 언급한 바 있다.

그 일환으로 삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도하고, 높은 신뢰성을 요구하는 자동차 시장까지 사업 영역을 넓혀 나갈 예정이다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 “시장의 고집적고용량에 대한 요구사항이 높아지면서 V낸드의 단수가 높아지고 있는데, 회사는 3차원 스케일링(3D Scaling) 기술로 셀 평면적과 높이를 모두 감소했고 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다”며 “8세대 V낸“를 통해 시장 수요를 만족시키고, 차별화된 제품과 솔루션을 제공해 나가겠다”고 밝혔다.

삼성전자는 2024년 9세대 V낸드 제품을 양산하고, 2030년에 1000단 V낸드 개발에 나설 계획이다.

글. 바이라인네트워크
<배유미 기자>youme@byline.network

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