삼성전자, 10나노 6세대 D램 공정 내부 기준 통과

삼성전자가 차기 메모리에 적용할 10nm(나노미터) 6세대 D램 공정 준비를 마쳤다.

2일 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 사업부에 따르면 10nm급 6세대 D램 공정이 최근 내부 기준을 통과했다. 해당 공정을 통해 생산한 메모리가 품질이나 성능, 안정성 등에서 자체적으로 정한 조건을 만족했다는 뜻으로, 양산 준비를 마친 단계로 볼 수 있다.

10nm D램 공정은 1x(1세대) – 1y(2세대) – 1z(3세대) – 1a(4세대) – 1b(5세대) – 1c(6세대) 순으로 개발됐다. 세대를 거듭할 때마다 성능, 전력 효율, 생산성 등을 개선했다.

삼성전자는 신규 공정을 DDR 메모리와 그래픽처리장치(GPU)용 GDDR 메모리, 고대역폭메모리(HBM) 등 차세대 메모리 양산에 활용할 전망이다.

글. 바이라인네트워크
<이병찬 기자>bqudcks@byline.network